【摘 要】
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短沟效应是MOS器件特征尺寸缩小面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效抑制短沟效应,合理的Halo区掺杂分布可以改善小尺寸器件性能。在对Halo注入条件进行优化的过程中,不仅
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短沟效应是MOS器件特征尺寸缩小面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效抑制短沟效应,合理的Halo区掺杂分布可以改善小尺寸器件性能。在对Halo注入条件进行优化的过程中,不仅考虑了Halo注入倾角和注入能量对器件常温特性和高低温特性的影响,还考虑到工艺波动,比较了多晶条宽变化对器件参数的影响。为了增加不同条件的可比性,以室温下的饱和电流作为基准,通过调节注入剂量,使不同Halo注入条件在室温下的饱和电流都相等。结果表明,对于130 nm多晶栅长,注入倾角60°,注入能量100 Ke V时器件特
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