【摘 要】
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对所设计的北京τ 粲工厂 (BTCF)高亮度对撞模式下电子环中的离子引起的束流不稳定性做了研究 .计算了不同束团填充空隙下的离子俘获比 ,然后用自编的模拟程序对BTCF上快束流
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所!北京100039,中国科学院高能物理研究所!北京100039,中国科学院高能物理研究所!北京100039
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对所设计的北京τ 粲工厂 (BTCF)高亮度对撞模式下电子环中的离子引起的束流不稳定性做了研究 .计算了不同束团填充空隙下的离子俘获比 ,然后用自编的模拟程序对BTCF上快束流 -离子不稳定性做了模拟跟踪 ,得到的快束流 -离子不稳定性的增长时间和理论解析计算值基本一致
The beam instability caused by ions in the electron ring under the high brightness collision mode of the designed Beijing τ 粲 plant (BTCF) was studied. The ion trap ratio under different beam packing voids was calculated, Simulation program to simulate the fast beam-ion instability of BTCF, the fast beam-ion instability growth time obtained is basically consistent with the theoretical analysis
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