In:Fe:Cu:LiNbO_3晶体光全息存储性能的研究

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hongsx14
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采用提拉法生长了In:Fe:Cu:LiNbO3晶体,测试了晶体的紫外可见光谱、红外吸收光谱。利用二波耦合方法测试了晶体的响应时间、最大衍射效率、计算晶体的光折变灵敏度。结果表明,随In3+离子浓度的增加,在In3+浓度较低时,In:Fe:Cu:LiNbO3晶体紫外可见光吸收边发生紫移,而红外吸收峰3 482cm-1位置基本不变,但浓度达到阈值时,紫外可见光吸收边相对于低浓度发生红移,而红外吸收峰向高波数方向移动;In3+浓度增加时,响应时间变短,最大衍射效率下降,晶体存储灵敏度提高。 The In: Fe: Cu: LiNbO3 crystal was grown by Czochralski method. The UV-vis and infrared absorption spectra of the crystal were tested. The response time and the maximum diffraction efficiency of the crystal were measured by the two-wave coupling method, and the photorefractive sensitivity of the crystal was calculated. The results show that with the increase of In3 + ion concentration, the UV absorption of the In: Fe: Cu: LiNbO3 crystal shifts purplely when the concentration of In3 + is low, while the position of 3 482cm-1 of the infrared absorption peak remains unchanged. However, When the concentration of In3 + increases, the response time becomes shorter, the maximum diffraction efficiency decreases, and the crystal storage sensitivity increases.
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