高功率转换效率905 nm垂直腔面发射激光器的设计与制备

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【摘要】

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通过对影响垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser, VCSEL)的功率转换效率的因素进行理论分析,得出斜率效率是影响功率转换效率的主要因素的结论.为获

【作者】

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赵壮壮荀孟潘冠中孙昀周静涛王大海吴德馨

【机构】

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中国科学院微电子研究所

【出处】

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物理学报

【发表日期】

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2021年11期

【关键词】

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905 nm垂直腔面发射激光器高功率转换效率外延结构设计器件制备

【基金项目】

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国家自然科学基金(批准号:61804175),中国科学院前沿科学重点研究计划(批准号:ZDBS-LYJSC031),博新计划(批准号:BX20200358)资助的课题。

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通过对影响垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser, VCSEL)的功率转换效率的因素进行理论分析,得出斜率效率是影响功率转换效率的主要因素的结论.为获得高功率转换效率,通过对有源区量子阱、P型和N型分布布拉格反射镜(DBR)等进行优化,设计出了905 nm VCSEL的外延结构并进行了高质量外延生长.成功制备出了不同氧化孔径的905 nm VCSEL器件,获得的最大斜率效率为1.12 W/A,最大转换效率为44.8%.此外,探究了氧化孔径对VCSE

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