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采用原位生成的纳米SiO2／环氧聚酯改性有机硅树脂制备了TH1178—2耐电晕无溶剂绝缘漆，并与采用直接掺杂法制备的纳米SiO2改性有机硅耐电晕漆TH1178-1的耐电晕性能进行了比较分析。结果表明：原位生成纳米SiO2改性比纳米SiO：直接掺杂改性的粒子分散更加均匀，无明显颗粒团聚现象；TH1178-2耐电晕漆比TH1178—1的耐电晕时间增长幅度更明显，耐电晕性能更好，同时具有优良的电气性能和力学性能，适用于H级以上电机或电器的耐电晕绝缘结构浸渍处理。