【摘 要】
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通过对准垂直型GaN微波整流肖特基二极管结构的研究,建立了二极管势垒层和传输层模型,根据模型提出了图形化和多空气桥结构来应对现有GaN生长技术不成熟带来额外寄生电阻的问
【机 构】
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南通大学信息科学技术学院,江苏南通 226019;德岛大学理工学院,德岛 770-8506;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;南通大学信息科学技术学院,江苏南通 226019;德岛大学理
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通过对准垂直型GaN微波整流肖特基二极管结构的研究,建立了二极管势垒层和传输层模型,根据模型提出了图形化和多空气桥结构来应对现有GaN生长技术不成熟带来额外寄生电阻的问题,并设计制作出联U型器件.为了验证结构的优势,同时制作了用于对比的传统指型器件.通过大量测试,得到联U型器件的平均寄生电阻为2.38 Ω,约为指型器件的89.8％.零偏压下联U型器件的结电容为0.48 pF,约为指型器件的90.6％.联U型器件的平均截止频率为139 GHz,相比指型器件提高了约23％.在不增加寄生电容、不牺牲功率容量的情况下,降低了二极管的寄生电阻,大大提高了高频状况下GaN微波整流二极管的整流效率.
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