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在较低基底温度（室温至～２００℃）下，用μ０．６μｍ ＣＷ ＣＯ２激光在硅（１００）表面生成ＳｉＯ２薄膜，研究了反应气配比（Ｏ２／Ｎ２），基底温度、激光强度、激光辐照时间等实验条件对ＳｉＯ２薄膜形成的影响，探讨了红外激光助长的硅表面氧化反应动力学过程，认为在薄层氧化区域（＜３０ｎｍ）存在反应诱导期。