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LPCVD制备Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜工艺研究
LPCVD制备Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜工艺研究
来源 :电子制作 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yeshenshi1
【摘 要】
:
本文简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法,详细介绍了低压化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)LPCVD制备氮化硅的工艺。并对工艺的结果进行了适当的分析,为LPCV
【作 者】
:
潘伟
【机 构】
:
江阴新顺微电子有限公司
【出 处】
:
电子制作
【发表日期】
:
2013年2X期
【关键词】
:
LPCVDSi3N4薄膜
工艺
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本文简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法,详细介绍了低压化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)LPCVD制备氮化硅的工艺。并对工艺的结果进行了适当的分析,为LPCVD制备高质量的Si3N4薄膜奠定了基础。
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