高温退火对InGaAsP／InP双异质结光弹波导结构的影响

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yixiangren1976

【摘要】

：

光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构。ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结外延片在直流负偏压１２０Ｖ作用下，利用射频溅射和光刻肃离技术在样品表面沉积１１０ｎｍ厚的Ｗ０．９５Ｎｉ０．０５金属薄膜应变条。在Ｗ０．９５￣Ｎｉ０．０５金属薄

【作者】

：

邢启江

【机构】

：

北京大学物理系

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2000年3期

【关键词】

：

平面型波导器件 INGAASP/INP 高温退火 WNi/Semiconductor contact Photoelastic effect Planar wa

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光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构。ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结外延片在直流负偏压１２０Ｖ作用下，利用射频溅射和光刻肃离技术在样品表面沉积１１０ｎｍ厚的Ｗ０．９５Ｎｉ０．０５金属薄膜应变条。在Ｗ０．９５￣Ｎｉ０．０５金属薄膜应变条下的半导体内形成了对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构。Ｗ０．９５Ｎｉ０．０５金属薄膜及由其形成的光弹波导器件

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