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,Effect of the Si-doped In0.49Ga0.51P barrier layer on the device performance of In0.4Ga0.6As MOSFET
【机 构】
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Microwave Device and IC Department,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2013年7期
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