混合激励与应变超晶格系统沟道运动的临界特征

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mgy1982

【摘要】

：

从势和场的观点出发讨论了带电粒子在应变超晶格中的运动行为.在经典力学框架内和偶极近似下,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为具有阻尼项和混合激励项的广义摆方程.利用Melnikov方法讨论了系统的临界性质与混沌行为.结果表明,系统的混沌行为与它的参数有关,适当调节参数,就可以原则上保证系统的稳定性.

【作者】

：

杨杰

【机构】

：

东莞理工大学电子工程学院,广东东莞523808

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2015年36期

【关键词】

：

应变超晶格沟道效应混合激励混沌 strained superlattice channeling effects mixed excitation cha

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