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主要针对高频线圈于单晶生长过程中，在高频电流及棒体的高温作用下，产生的附加扭矩，改变线圈的设计外形，进行了原因研究、理论计算，并对单晶生长的影响进行了分析。通过采取适当的措施，降低由于线圈的形变对单晶的影响，提高单晶的成晶率。
区熔单晶生长过程中高频线圈形变篚原因分析及理论计算
【摘 要】
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主要针对高频线圈于单晶生长过程中，在高频电流及棒体的高温作用下，产生的附加扭矩，改变线圈的设计外形，进行了原因研究、理论计算，并对单晶生长的影响进行了分析。通过采取适当的
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2012年10期
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