氧化铝陶瓷陡脉冲真空沿面闪络改性研究

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为了揭示氧化铝陶瓷陡脉冲作用下的真空沿面闪络机理并提高其闪络电压,研究了多种不同添加剂氧化铝陶瓷的真空快脉冲沿面闪络特性。通过添加不同物质的量比的Cr203(氧化铬)、Ti02(氧化钛)、MnC03(碳酸锰)和MgO(氧化镁),制备了10种不同配方的氧化铝陶瓷。测试了各试样陡脉冲作用下的沿面闪络电压、闪络电流和闪络过程中的发光强度。发现加入添加剂的氧化铝陶瓷试样闪络电压均高于无掺杂的试样。根据二次电子发射系数、紫外光和表面缺陷对闪络过程的影响,认为低二次电子发射系数、低能隙和强电荷束缚性的添加剂的共同添加
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