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建立了基于PCI插卡式虚拟仪器的脉冲总剂量效应在线测试系统,详细说明了其工作原理和技术指标.利用该系统研究了脉冲辐照后CMOS器件总剂量损伤以及时间关联的退火响应,包括不同栅偏压对总剂量损伤和退火行为的影响,以及氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷引起的阈值电压漂移与退火时间的关联情况,并从物理机理上进行了详细的分析.