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Research of strain state and dislocation density in the multiple AlGaN epitaxial layers with high Al
Research of strain state and dislocation density in the multiple AlGaN epitaxial layers with high Al
来源 :ChineseOpticsLetters | 被引量 : 0次 | 上传用户:renbaoshouxian
【摘 要】
:
In this paper, the p-i-n multiple-layer Al_(x)Ga_(1-x)N sample with high Al (x
【作 者】
:
DaYou
QingxueWang
HaimeiGong
【机 构】
:
ShanghaiInstituteofTechnicalPhysics,ChineseAcademyofSciences,Shanghai200083
【出 处】
:
ChineseOpticsLetters
【发表日期】
:
2005年3期
【关键词】
:
040.0040
160.0160
340.0340
310.0310
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In this paper, the p-i-n multiple-layer Al_(x)Ga_(1-x)N sample with high Al (x
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