两步激光晶化法制备多晶硅薄膜晶体管

来源 :华中理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:HHP110
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采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸达到 1 .1 μm.分析了在不同激光功率密度下 ,由两步激光晶化方法所制备的多晶硅薄膜的拉曼光谱 .测量了相应薄膜晶体管的转移特性和输入输出特性 ,由此得出薄膜晶体管的迁移率为 1 0 3 cm2 /( V·s) ,ION/IOF F为 1 0 6 ,分别是传统单步晶化制备的薄膜晶体管的2 .5倍和 1 1倍 .分析了两步晶化方法扩大晶粒尺寸的微观机理 A two-step laser crystallization method was used to fabricate a polycrystalline silicon thin film with a grain size of 1 μm. The Raman spectra of polycrystalline silicon films prepared by two-step laser crystallization at different laser power densities were analyzed. The results show that the mobility of the thin film transistor is 10 3 cm 2 / (V · s) and the ION / IOF F is 10 6, which are respectively obtained by the conventional single-step crystallization 2 and 5 times and 1 1 times of the thin film transistor.The microscopic mechanism of two-step crystallization method to enlarge the grain size
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