【摘 要】
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随着CMOS 技术进入纳米工艺, 随机栅长变化成为影响集成电路性能和成品率最重要因素之一. 文中分析并验证了纳米MOS 器件随机栅长变化导致电流增益因子与阈值电压的之间的相
【机 构】
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杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室
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随着CMOS 技术进入纳米工艺, 随机栅长变化成为影响集成电路性能和成品率最重要因素之一. 文中分析并验证了纳米MOS 器件随机栅长变化导致电流增益因子与阈值电压的之间的相关性及失配解析关系式, 并以此为基础, 结合偏差传递理论实现了22 nm 工艺MOSFET 电流失配模型.仿真实验结果表明, 该模型揭示了短沟道效应导致的器件阈值电压变化改变了载流子有效迁移率, 进而影响电流增益因子及器件电流的规律, 精确地估计了随机栅长变化导致的电气参数统计变化特性.
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