【摘 要】
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图16为以等离子体内SiH3为生长前驱物模式的硅薄膜沉积示意图.rn此模型中假设在SiH3离子落向衬底之前,表面将被H覆盖.首先SiH4在等离子体内与电子发生碰撞,(1)电子将自己的动
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;
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图16为以等离子体内SiH3为生长前驱物模式的硅薄膜沉积示意图.rn此模型中假设在SiH3离子落向衬底之前,表面将被H覆盖.首先SiH4在等离子体内与电子发生碰撞,(1)电子将自己的动能给予SiH4,使其分解成SiH3和H原子;(2) SiH3附着于衬底表面;(3) SiH3在表面覆盖有H的帮助下,在衬底表面运动以寻找合适的成键位置;(4)最后在能量最低处与表面硅的悬键键合生成表面Si层上的原子之一;(5)上式分解出的原子H或表面覆盖的H,反过来也可能与SiH3反应生成气态的硅烷而回到等离子体中去.
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