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采用SiCl4、CCl4和金属K体系，以溶剂热合成法在高压釜中制备了碳化硅(SiC)单晶材料．通过X射线粉末衍射(XRD)、Raman光谱和透射电子显微镜(TEM)对产物进行了表征．其中XRD数据显示所得产物为碳化硅．TEM结果表明，采用不同剂量的金属K，所得产物分别为丝状和片状的SiC单晶．SiC单晶丝直径为10～20nm，长度可达1．5um；SiC晶片的横向尺寸为0．1～3um，具有规则多面体外形，显示阶梯状生长侧面．此外，对SiC单晶材料的生长机理进行了讨论，研究了过饱和度对SiC晶体生长和形貌的影