【摘 要】
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利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响.用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20
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利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响.用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子阱特征峰(797nm)经过辐照后峰值发生红移至812nm,波形展宽,峰高降低.分析OTCS谱发现自由电子激光辐照引入了新的缺陷能级,量子阱结构发生变化, 对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较.
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