【摘 要】
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采用Ti/Cu/Ti中间层在1273K、180min的条件下,改变Ti箔厚度进行Si3N4陶瓷的部分瞬间液相(PTLP)连接,讨论Ti箔厚度对界面结构及连接接头强度的影响,用扫描电镜、电子探针对连
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采用Ti/Cu/Ti中间层在1273K、180min的条件下,改变Ti箔厚度进行Si3N4陶瓷的部分瞬间液相(PTLP)连接,讨论Ti箔厚度对界面结构及连接接头强度的影响,用扫描电镜、电子探针对连接界面区域进行了分析.结果表明,在试验范围内,Ti箔厚度为10μm时Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4接头的室温强度最高,为210Mpa.PTLP连接时,当连接温度和时间不变,且连接时间能保证等温凝固过程充分进行的条件下,Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4连接界面结构、反应层厚度、等温凝固层厚度随着T
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