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通过各向异性腐蚀硅微结构工艺，研究了四甲基氢氧化铵（TMAH）腐蚀液的特性，包括硅（100）晶面腐蚀速率与TAMH溶液浓度、温度、pH值以及过硫酸铵添加剂的关系，并采用原子力显微镜研究了不同腐蚀条件下硅的表面形貌，研究表明：随TMAH溶液的浓度的降低和腐蚀温度的提高，腐蚀速率提高，硅腔的表面粗糙度增大；过硫酸铵添加剂明显改善了硅微腔的表面平整度。本研究所确定的最佳腐蚀工艺条件为：溶液中TMAH浓度为25％，过硫酸铵添加剂浓度为3％，腐蚀温度80℃。在此工艺条件下腐蚀出了深度为230μm、表面粗糙度小于50