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基于硅基异质集成InP工艺下的硅基与InP层之间的通孔结构，得到其等效电路模型，并提出了一种直接的模型参数提取方法.在〇.1.67.0GHz的测量数据中提取得到双通孔结构的等效电路模型参数,模型仿真和测量数据能较好地拟合，验证了模型拓扑结构的准确性.
硅基异质集成InP毫米波通孔模型研究
【摘 要】
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基于硅基异质集成InP工艺下的硅基与InP层之间的通孔结构，得到其等效电路模型，并提出了一种直接的模型参数提取方法.在〇.1.67.0GHz的测量数据中提取得到双通孔结构的等效电路
【机 构】
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杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
【出 处】
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杭州电子科技大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2017年1期
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