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文章介绍了抗单粒子翻转容错处理器NBHARK的结构与实现．采用了改进的优化奇权重列编码方法纠检寄存器文件的瞬时错误。提出了多种有效方法提高整个处理器可靠性，如三模冗余内部临时寄存器,三模冗余时钟，片上EDAC，奇偶校验，强制cache缺失等。该芯片在smic0．18μmCMOS工艺投片。辐射试验表明，粒子注入（〉50，000）引起的单粒子翻转错误均成功纠正。试验采用^252Cf辐射源，3．5uCi，以及43MeV．cm^2／mg平均LET进行。