【摘 要】
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本文报道了阴离子F-,Cl-,I-和S2-掺杂的PbWO4晶体的生长与发光性能。通过对掺杂PbWO4晶体的X射线粉末衍射、紫外可见区的透过光谱、光致激发、光产额和发光衰减特性进行了测
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,中国科学院上海硅酸盐研究所,复旦大学分析测试研究中心
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本文报道了阴离子F-,Cl-,I-和S2-掺杂的PbWO4晶体的生长与发光性能。通过对掺杂PbWO4晶体的X射线粉末衍射、紫外可见区的透过光谱、光致激发、光产额和发光衰减特性进行了测试表征,结果表明：F-掺杂能使PbWO4晶体在短波方向的透过率明显提高,显著提高PbWO4晶体的发光强度,但增加的发光强度主要来自于慢发光的贡献。而随着掺杂阴离子半径和电荷数的增加,PbWO4晶体的发光强度逐渐降低,并且PbWO4晶体吸收截止边逐渐向长波方向移动。
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