论文部分内容阅读
针对碳化硅单晶生长过程中压力控制范围大,控制精度高的需求,改变了常规的PID控制,将模糊PID算法应用到碳化硅单晶生长的压力控制系统中,根据系统压力的测量值和目标值实时的修正控压仪表的PID3个控制参数,并由控压仪表的输出调节真空室和真空泵之间的蝶阀开启比例,保证碳化硅晶体生长中全程压力范围内的压力的精确控制,有助于提高碳化硅单晶的晶体质量。