PSJ高压器件的优化设计

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huangyulin2007

【摘要】

：

基于Semi-SJ（super junction）结构,提出了SJ的比例可以从0～1渐变的PSJ（partial super junction）高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计

【作者】

：

陈万军张波李肇基邓小川

【机构】

：

电子科技大学IC设计中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年6期

【关键词】

：

PARTIAL super JUNCTION RESURF 击穿电压比导通电阻 partial super junction RESURF breakdown

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基于Semi-SJ（super junction）结构,提出了SJ的比例可以从0～1渐变的PSJ（partial super junction）高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式.计算了不同击穿电压的比导通电阻,并与二维器件模拟结果和实验结果相比较.讨论了BAL（bottom assist layer）部分穿通因素η、p型区深度归一化参数r、p型区深宽比A以及PSJ漂移区掺杂浓度是否统一对PSJ高压器件比导通电阻的影响.其理论结果和器件模拟结果相

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