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1、攻关背景 清华大学自动化系二十世纪六十年代中期就已考虑用可控硅代替当时流行的磁放大器作为控制功率的基本元件.1964年就关心已经开始研制可控硅元件及其应用的单位,如:一机部电器院六室(即西整所的前身)、北京变压器厂等单位.1967年,清华大学自动化系采用研制可控硅作为开门办学的内容.到七十年代初,可控硅生产线和元件测试设备基本建成.电压在1000V左右,电流200A以下的二极管和可控硅已经试制成功.当时西安和北京开展这方面工作最先进的单位,所研制的可控硅耐压水平也都在1000V上下.……