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对不同的Ｏ，Ｃｅ束流比条件下用离子束外延方法生长的氧化铈／硅薄膜在热处理前和干氧气氛中经不同温度热退火后进行俄歇电子能谱深度剖析测量。结果显示出在Ｓｉ衬底上生长的具有正化学配比的ＣｅＯ２和铈的低价氧化物具有明显不同的热处理行为，对与此有关物理过程作了初步探讨。结果还表明ＩＢＥ ＣｅＯ２／Ｓｉ结构经高温处理后在界面上形成了一层ＳｉＯ２，而外延层内的化学配比可接近正常值，从而显示出该材料工作温度尚可提