微纳复合结构黑硅的制备及其近红外光谱特性

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具有高效抗反射微结构的黑硅材料在光电领域具有重要的应用价值。采用两步金属辅助化学刻蚀法制备了“金字塔”硅和“金字塔—纳米线”微纳复合结构黑硅材料;依次采用场发射扫描电子显微镜,近红外光谱仪和拉曼光谱分别对样品的微观形貌,反射率和结构性质进行了表征;采用量子限制模型(QCM)解释了黑硅的拉曼光谱散射光强度明显增强的机制;并采用陷光模型及多层薄膜干涉理论分析了黑硅的微结构抗反射机制。结果表明,微纳复合结构黑硅材料在900~1700 nm波段内平均反射率为11.94%,与金字塔硅和抛光硅片相比,分别降低了77.
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