论文部分内容阅读
GH536合金的最终热处理温度越低，晶粒组织对热变型参数的依赖越强，本文通过对改变变形率和变形温度试验，寻找到了GH536合金的热处理的合适热变形参数。指出变形率大于10%就可避免较粗大晶粒出现。GH536的动态再结晶温度为1140℃。当最终热处理温度到达1080℃时，变形温度1050℃，变形率≥40%才可得到7-8级晶粒；变形温度为1140℃，变形率≥10%，就可得到7-8级或更高的晶粒。