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以聚乙烯基咔唑poly(N—vinylcarbazole)(PVK)旋涂层为空穴传输层,着重研究了PVK层厚度对双层器件氧化铟锡(ITO)/PVK/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)/Mg:Ag/Al器件性能的影响。测试结果表明,当Alq3层厚度一定时(50nm),只有PVK层为适当厚度(18nm)时双层器件才有最优良的器件性能,即最低的起亮电压,最高的发光亮度和效率。同时对比了不同PVK层厚度的PVK/Alq3双层器件之间以及PVK/Alq3与N,N'-bis