【摘 要】
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用湿法腐蚀制作DFB激光器中的光栅有很多缺点。作者采用CH4/H_2的反应离子腐蚀技术制作InP和InGaAsP光栅。适当控制腐蚀过程中的淀积物可以得到极好的垂直腐蚀。在InP和InGaA
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用湿法腐蚀制作DFB激光器中的光栅有很多缺点。作者采用CH4/H_2的反应离子腐蚀技术制作InP和InGaAsP光栅。适当控制腐蚀过程中的淀积物可以得到极好的垂直腐蚀。在InP和InGaAsP的腐蚀中对各种工艺参数进行了系统的研究,并用全息光刻方法制作腐蚀掩模,成功地用反应离子腐蚀方法作出一级和二级光栅,应用于DFB激光器的制作中。
There are many disadvantages to using wet etching to fabricate gratings in DFB lasers. The authors fabricated InP and InGaAsP gratings using CH4 / H 2 reactive ion etching. Proper vertical corrosion control can be achieved by properly controlling deposits in the process. InP and InGaAsP corrosion of a variety of process parameters were systematically studied, and the use of holographic lithography etching mask, the successful use of reactive ion etching method for the first and second gratings, used in the manufacture of DFB lasers .
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