SiC/Al电子封装材料的制备工艺研究

来源 :西安科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huojiantong

【摘要】

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对用无压浸渗法制备高体积分数的SiC/Al复合材料的浸渗过程进行了分析.结果表明:温度在900～1 100℃之间变化时,随着温度的升高浸渗深度增加;充分的浸渗时间可提高界面的润湿性

【出处】

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西安科技大学学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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SiC/Al复合材料无压浸渗制备工艺

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对用无压浸渗法制备高体积分数的SiC/Al复合材料的浸渗过程进行了分析.结果表明:温度在900～1 100℃之间变化时,随着温度的升高浸渗深度增加;充分的浸渗时间可提高界面的润湿性,促使铝合金液顺利浸渗;Mg量为10%时浸渗能顺利进行;N2作为保护气氛,不但可以防止氧化,而且可以促进铝合金液对SiC颗粒的浸渗.

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