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以ＭｎＴｅ－ＣｄＴｅ伪二凶相图为基础，分析了单晶生长过程的分凝特性及扩散规律，从成分过冷的角度讨论了生长界面的稳定性，最后就生长过程中存在的其它问题做了简要探讨，并给出共技术 方法。
Cd1—xMnxTe单晶生长特性的研究及其生长条件的选择
【摘 要】
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以ＭｎＴｅ－ＣｄＴｅ伪二凶相图为基础，分析了单晶生长过程的分凝特性及扩散规律，从成分过冷的角度讨论了生长界面的稳定性，最后就生长过程中存在的其它问题做了简要探讨，并给出共技术 方法。
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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1998年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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