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采用超晶格方法,利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术,制备了多层Ge纳米晶（Ge-ncs）镶嵌Si基复合薄膜（Ge-ncs＋SiO2/GeO2）.同时采用椭圆偏振光谱法,研究了Ge-ncs的光学性质,并用sp3紧束缚理论模式,解释了Ge-ncs带隙宽化现象.结果表明：用超晶格方法制备的多层Ge-ncs具有密度高、尺寸和位置分布均匀的优点,纳米晶平均尺寸为9.8nm.复合薄膜（Ge-ncs＋SiO2/GeO2）具有正常色散的特性,且在1 340nm处具有较强烈的吸收特性;Ge-ncs的光学带隙为0.82