【摘 要】
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提出了一种锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT) MEXTRAM集约模型参数的直接提取方法.该方法通过有效地区分各种器件物理效应对器件性能的影响,无需电路仿真器,就能够提取器件的
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,北京100084;清华信息科学与技术国家实验室,北京100084;上海华虹NEC电子有限公司,上海,201206
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提出了一种锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT) MEXTRAM集约模型参数的直接提取方法.该方法通过有效地区分各种器件物理效应对器件性能的影响,无需电路仿真器,就能够提取器件的模型参数,简便实用.通过提取实验制备的SiGe HBT器件的整套MEXTRAM模型参数,仿真曲线与测试数据吻合良好,证实了该方法的精确性和有效性.
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