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本文研究了SiC晶须的分散工艺及SiC晶须／Y－TZP基复合材料的烧结。探讨了分散剂金属醇盐M(OR)n(M代表金属)和高分子化合物对SiC晶须的分散效果，并对其分散机理进行了分析；研究了SiC晶须含量及其长径比、SiC晶须在基体中的分散度等因素对复合材料致密化的影响。无压烧结获得了致密度大于95％的复合材料烧结瓷体（晶须含量＜15vol％）。