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在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体主其两种表面基的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响。在硅西文／胺基＝７／３附近时，得到电解液－绝缘体界面势对ｐＨ值的灵敏度最大，且线性响应范围宽。
Si3N4绝缘栅中两种表面基对pH—ISFET器件敏感特性的影响
【摘 要】
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在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体主其两种表面基的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响。在硅西文／胺基＝７／３附近时，得到电解液－绝缘体界面势对ｐＨ值的灵敏度最大，且线性
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年7期
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