【摘 要】
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用扩展的Solomon方程描述1H受到射频(RF)场照射时13C的自旋晶格弛豫过程.理论分析表明,在1H受到射频场照射时,13C自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程,但在特定实验条件下可以
【机 构】
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淮南工业学院数理系,淮南工业学院化工系,华东师范大学分析测试中心
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用扩展的Solomon方程描述1H受到射频(RF)场照射时13C的自旋晶格弛豫过程.理论分析表明,在1H受到射频场照射时,13C自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程,但在特定实验条件下可以变为单指数过程.数值模拟可显示出满足TC1TH1条件的13C自旋晶格弛豫过程的明显差别以及不同射频场强度对13C自旋晶格弛豫的影响.通过实验观察固体L-缬氨酸的甲基13C自旋晶格弛豫过程,测定相应的弛豫时间.所得结果与理论分析和数值模拟完全吻合.
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