全SiC/半SiC智能功率模块功耗研究

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【摘要】

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研究了全SiC智能功率模块、半SiC智能功率模块和Si智能功率模块的功耗。实验结果发现在20 Hz~90 Hz电机频率条件下,全SiC模块IPM-1功耗最低;全Si模块IPM-4模块功耗最高;只将

【作者】

：

冯宇翔

【机构】

：

广东美的制冷设备有限公司

【出处】

：

家电科技

【发表日期】

：

2020年4期

【关键词】

：

SIC 智能功率模块功耗 SiCIntelligent power modulePower loss

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研究了全SiC智能功率模块、半SiC智能功率模块和Si智能功率模块的功耗。实验结果发现在20 Hz~90 Hz电机频率条件下,全SiC模块IPM-1功耗最低;全Si模块IPM-4模块功耗最高;只将开关器件替换为SiC-MOS功耗低于只将二级管替换为SiC-SBD;其功耗关系为IPM-1(SiC-MOS+SiC-SBD)<IPM-2(SiC-MOS+Si-FRD)<IPM-3(Si-IGBT+SiC-SBD)<IPM-4(Si-IGBT+Si-FRD);将SiC栅极电阻降低后SiC IPM

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