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半导体紫外探测器技术进展
半导体紫外探测器技术进展
来源 :激光与红外 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sanshao
【摘 要】
:
介绍了几种新型半导体紫外探测器.列出了这类探测器的各项用途及优点,并对其结构,制作方法以及性能作出了简要说明.N化物半导体紫外探测器具有探测波长范围可调,可靠性好等优
【作 者】
:
白谢辉
杨定江
【机 构】
:
华北光电研究所
【出 处】
:
激光与红外
【发表日期】
:
2003年2期
【关键词】
:
紫外探测器
半导体
A1GaN探测器
光电二极管
金属—半导体探测器
铝镓氮三元化合物
ultraviolet detector
AlGaN detector
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介绍了几种新型半导体紫外探测器.列出了这类探测器的各项用途及优点,并对其结构,制作方法以及性能作出了简要说明.N化物半导体紫外探测器具有探测波长范围可调,可靠性好等优点,可以认为是半导体紫外探测器发展的主要方向.
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