【摘 要】
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SiC@SiO2纳米电缆作为一种新型的功能性纳米复合材料,以其优异的性能和广泛的应用前景受到了广泛关注。因此,开发一种有效、经济、方便,SiC@SiO2纳米电缆的制备方法具有重要
【机 构】
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清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
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SiC@SiO2纳米电缆作为一种新型的功能性纳米复合材料,以其优异的性能和广泛的应用前景受到了广泛关注。因此,开发一种有效、经济、方便,SiC@SiO2纳米电缆的制备方法具有重要意义。本研究采用无催化剂的碳热还原法在1500℃的Ar气氛下,通过加热硅粉和硅溶胶混合物从而快速高效地制备了SiC@SiO2纳米电缆。该核壳的纳米电缆是由单晶β-SiC核心和无定形SiO2壳组成,其长度达几百微米,直径为60~80 nm,而且通过调节保温时间可以调控核壳的尺寸。结合实验数据并依据气-固(VS)机理解释了SiC@Si
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