【摘 要】
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采用改进的溶胶 凝胶方法 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上成功地制备出不同组分 ,具有钙钛矿型结构的BST铁电薄膜。BST5、BST10和BST15铁电薄膜的介电系数εr 分别为 375、4 0 0和
【机 构】
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采用改进的溶胶 凝胶方法 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上成功地制备出不同组分 ,具有钙钛矿型结构的BST铁电薄膜。BST5、BST10和BST15铁电薄膜的介电系数εr 分别为 375、4 0 0和4 2 5,介电损耗tgδ分别为 0 .0 4 1、0 .0 2 4和 0 .0 10 ,剩余极化强度Pr 分别为 2 μc/cm2 、2 .5μc/cm2 和1.7μc/cm2 ,矫顽场Ec 分别为 4 0kV/cm、50kV/cm和 35kV/cm ,是制备非制冷红外焦平面阵列的优选材料。
The BST ferroelectric thin films with different composition and perovskite structure were successfully prepared on the Pt / Ti / SiO2 / Si substrate by the improved sol-gel method. The dielectric constants εr of BST5, BST10 and BST15 ferroelectric thin films are 375, 400 and 4 2 5, respectively, and the dielectric loss tgδ are respectively 0.0401, 0.0204 and 0.010, and the remanent poles The intensities Pr are 2 μc / cm2, 2.5 μc / cm2 and 1.7 μc / cm2, and the coercive fields Ec are 40 kV, 50 kV / cm and 35 kV / cm, respectively, which is preferable for preparing an uncooled infrared focal plane array material.
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