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采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅（111）上制备了Tb^3＋离子不同掺杂浓度的硅酸镥光学薄膜（Tb∶Lu2SiO5）,利用热重差热分析（TG-DSC）、X射线衍射（XRD）、傅里叶红外光谱仪（FTIR）、原子力显微镜（AFM）和紫外可见荧光光谱（PL）对Tb∶Lu2SiO5薄膜的不同温度热处理的结构演变和发光性能进行了表征。研究结果表明Tb∶Lu2SiO5光学薄膜表面均匀、平整、无裂纹,薄膜样品从800℃开始晶华,1100℃时晶化完全。Tb∶Lu2SiO5的发光性能表现为Tb^3＋离子的4f→5d和^