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采用平面工艺制备了大面积Si-PIN探测器, 探测器厚度300μm, 直径分别Φ50mm、Φ60mm。在室温环境下测量了探测器的漏电流及226Ra-α粒子能谱响应。结果表明大面积Si-PIN探测器具有耐压能力强、漏电流小、能量分辨率高等优点, 能够满足核辐射探测领域的相关应用。
新型大面积Si-PIN探测器的研制
【摘 要】
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采用平面工艺制备了大面积Si-PIN探测器, 探测器厚度300μm, 直径分别Φ50mm、Φ60mm。在室温环境下测量了探测器的漏电流及226Ra-α粒子能谱响应。结果表明大面积Si-PIN探测器具有耐压能力强、漏电流小、能量分辨率高等优点, 能够满足核辐射探测领域的相关应用。
【机 构】
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中国原子能科学研究院,北京102413北京理工大学光电学院,北京100081
【出 处】
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光学技术
【发表日期】
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2018年44期
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