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分析了基于失配电流控制的高阶补偿带隙基准的补偿原理,并研究了工艺偏移对基准电压温度系数的影响。基于失配电流控制的补偿策略具有结构简单、控制精度高,而且可以通过调整失配电流和多晶电阻阻值,使带隙基准具有较低的温度系数,同时具有较强的工艺健壮性。模拟分析表明,在-25℃-125℃温度范围内,在 TT(Typical -Typical)工艺角下,带隙基准的温度系数为4.8ppm /℃,同时在其他工艺角下,带隙基准的温度系数都可控制在9.0ppm /℃以下。通过无锡上华科技(CSMC)0.18μm CMOS 工艺