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本文介绍了采用表面修饰技术，利用气敏元件表面覆盖生长的ＳｉＯ２分子膜的滤过作用，得到高选择性ＳｎＯ２半导体Ｈ２敏感元件的方法，并对元件的特性及机理进行了分析。
表面覆膜法氢敏元件的研制及其选择性的研究
【摘 要】
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本文介绍了采用表面修饰技术，利用气敏元件表面覆盖生长的ＳｉＯ２分子膜的滤过作用，得到高选择性ＳｎＯ２半导体Ｈ２敏感元件的方法，并对元件的特性及机理进行了分析。
【机 构】
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黑龙江敏感技术产业集团有限公司传感器技术公司,黑龙江敏感技术产业集团有限公司传感器技术公司
【出 处】
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传感器世界
【发表日期】
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1997年9期
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