多孔碳化硅陶瓷的原位氧化反应制备及其性能(英文)

来源 :硅酸盐学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lszh2009

【摘要】

：

以SiC为陶瓷骨料,Al2O3作为添加剂,通过原位氧化反应制备了SiC多孔陶瓷,并对其氧化反应特性及性能进行了研究。结果表明:在1 300～1 500℃,随烧结温度的升高,SiC的氧化程度增加

【作者】

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刘施峰曾宇平江东亮

【机构】

：

中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所上海,中国科学院研究生院

【出处】

：

硅酸盐学报

【发表日期】

：

2008年5期

【关键词】

：

碳化硅多孔陶瓷氧化反应烧结莫来石结合

【基金项目】

：

中国科学院百人计划资助项目

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以SiC为陶瓷骨料,Al2O3作为添加剂,通过原位氧化反应制备了SiC多孔陶瓷,并对其氧化反应特性及性能进行了研究。结果表明:在1 300～1 500℃,随烧结温度的升高,SiC的氧化程度增加,SiC多孔陶瓷的强度逐渐增加,但开口孔隙率有所降低。莫来石相在1 500℃开始生成。当烧结温度升高到1 550℃时,莫来石大量生成,得到了孔结构相互贯通且颈部发育良好的莫来石结合SiC多孔陶瓷;由于在SiC颗粒表面上覆盖了致密的莫来石层,SiC的氧化受到抑制,开口孔隙率因而升高,SiC多孔陶瓷的强度因莫来石的大量生

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