Au／CdTe＋ZnS／HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Cskn__ZHANG

【摘要】

：

通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar+束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器件;通过对器件的C-V特性实验分析,获得了CdTe

【作者】

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周咏东汤定元方家熊李言谨龚海梅吴小山靳秀芳

【机构】

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南京大学微结构物理实验室,中国科学院上海技术物理研究所,南京大学微结构物理实验室

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2001年4期

【关键词】

：

薄膜 HGCDTE 红外焦平面器表面纯化 MIS器件碲化镉硫化锌 Cadmium compounds Passivation Sputtering Sur

【基金项目】

：

国家高技术研究发展计划(863计划)，江苏省教育厅自然科学基金

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通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar+束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器件;通过对器件的C-V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数.实验表明: 溅射沉积介质膜CdTe+ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦平面器件表面钝化的各项要求.

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